| Markenbezeichnung: | MEL-AL |
| Modellnummer: | MEL-AL-1018 |
| Mindestbestellmenge: | 1 Satz |
| Preis: | Customized Price |
| Verpackungsdetails: | Standardverpackung |
| Zahlungsbedingungen: | L/C, T/T |
Diese vollautomatische Reinraum-Schwefelsäure-Anodisationsanlage ist exklusiv für hochreine Aluminium-Halbleiterkomponenten konzipiert. Sie erzeugt eine gleichmäßige, natürliche, klare Oxidationsschicht von 8-15 µm ohne Verunreinigungen durch Metallsalzfarbstoffe. Die Anlage unterstützt Heißwasserversiegelung oder mittlere nickelfreie Versiegelung, um strenge Reinheits- und Ausgasungsanforderungen für Halbleiter zu erfüllen.
| Artikel | Parameter |
|---|---|
| Anwendbares Werkstück | Halbleiter-Reinraumkomponenten, hochreine Aluminiumsubstrate |
| Anodisationsart | Schwefelsäure-Dekorationsanodisation mit geringer Kontamination |
| Oxidschichtdicke | 8-15 µm |
| Oberflächenaussehen | Natürlich klare Oberfläche (keine Metallsalzfärbung, kein Risiko von Ionenkontamination) |
| Versiegelungsoptionen | Heißwasserversiegelung / Mittlere nickelfreie Versiegelung |
| Betriebsmodus | Vollautomatische Reinraum-Anodisationsanlage |
| Reinheitskontrolle | Niedrigionen-Badformulierung, dediziertes Reinraum-Zirkulations- und Filtersystem |
| Wichtige Einschränkung | Färbeprozess verboten, um Schwermetallkontamination zu vermeiden |
Metallionen aus Farbstoffen können in der Oxidschicht verbleiben und zu Ionenmigration, Kontamination und Zuverlässigkeitsrisiken für Halbleiterbaugruppen führen. Es wird eine natürliche klare Anodisation angewendet.
Die mittlere nickelfreie Versiegelung vermeidet Nickelionenrückstände. Sie erfüllt die Anforderungen von Halbleitern an geringe Ausgasung und schwermetallfreie Oberflächen.
Die Hauptkonfiguration ist vollautomatisch für die Massenproduktion; ein halbautomules / manuelles Reinraummodul kann als optionale Nachrüstung für Musterbestellungen geliefert werden.